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No127 ALL FET AMPモドキ(2)

FETとダイオード基板取り付けまで出来ました。

Rimg1214_r

今回はまじめに7本より配線予定です。

これから抵抗のスケルトン化を始めます。

スケルトン化のやり方は人それぞれだと思いますが、「どういう風に作っているの」とコメントを戴きましたので判りづらいとは思いますが手順を簡単に説明します。

(以前にも書き込みしましたがスケルトン化により抵抗の方向性がよりはっきりし、オリジナルの音のざらつき感が低減しスッキリとした情報量の多い音に聴こえるようになります。

考えられる弊害は被服を剥がす事により長期的には表面の酸化などで恐らく抵抗値が増える方向に変化するであろうと言う事です。

ある程度表面の酸化が進んでしまえば止まるとは思います。

フィルター関係の所にはちょっと使えない方法ですがその他の所なら同じ様に抵抗値が増えるのなら余り弊害はないかなと楽観的に考えています。

金田式の場合数年も立てば新しいアンプを作ってしまいますので個人的には余り心配はしていません)

仮に今回1.2KΩが欲しいとしますとすぐ下の抵抗値1KΩの抵抗でスケルトン化します。

・まずは方向管理の為足にマジックなどでマーキング

Rimg1216_r

・ニッパーを使いキャップの部分を剥がす。

Rimg1220_r

・同じ様に反対側も

Rimg1223_r

・中央部、数箇所を抵抗体に傷をつけないように慎重にニッパーで削ります。(削ると言うよりも被服をニッパーの刃の先端で剥ぎ取るような感覚です)

Rimg1225_r

後はひたすら抵抗体になるべく刃を当てないように慎重にカッターで削っていきます。

Rimg1227_r

最後にキャップの部分に方向管理のマーキングをします(足は基板取り付け時にカットしますので、そのままでは方向チェックが出来なくなってしまいます)

後はテスタなどで抵抗値を測定しながら抵抗体をカッターの刃で優しくなでながら((^_^;))

目標の抵抗値に合わせます。

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