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少し気になる情報(1)・・・

DCアンプマニアさんのブログで、少し気になる書き込みがありました。

出力段SiCMOSFETのゲート抵抗について35Vを境にマイナス側の抵抗値を変更する必要が有るらしいという事でした

-側を1KΩにしないと寄生発振が起きると言う事らしいです。

確かに単行本の記事を読み返してみると出力段の電圧によりゲート抵抗が色々変化しています。

またMJ2004/02号のNo230の記事の中で87ページ「出力段」に

「寄生発振防止抵抗で電源電圧が高い場合は100Ωだが低い場合は+側100Ωー側は1KΩが最適値」

と書かれていますね。

(興味の無い記事は深く読み込まないので見逃していました)

これは金田式SiCMOSIVCすべてに共通の事なのでしょうか?

それともロームの石の場合のみなのでしょうか?

私の場合ロームではなくCREEのCMF10120を使用していますが、

今の所、ドライブ段も含めて電源電圧±25Vの二電源仕様でゲート抵抗は+側、-側ともに150Ωの抵抗値で問題なく動作しています。

マルチアンプ方式では無くネットワーク方式で使用していますが、保護回路も付けずに使用している為少し気になる情報でした。・・・

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